C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/04 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/452 (2006.01)
Patent
CA 2182245
A process for depositing an adherent polycrystalline diamond thin film on a substrate, particularly a silicon or glass material, by chemical vapor deposition (CVD) at 1 to 15 torr and low temperatures of the substrate of between about 350 to 600°C using hydrogen and methane and optionally carbon dioxide. The substrate has diamond particles deposited on it or is polished with diamond particles prior to CVD. The process produces films which are clear and adherent. The films are particularly useful on silicon wafers with integrated circuits.
Cette invention concerne un procédé de dépôt de diamant polycristallin en couche mince adhérente sur un substrat, en particulier du silicium ou du verre, faisant appel à la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), sous une pression de 1 à 15 torrs et à une température de substrat comprise entre 350 et 600 degrés Celsius environ, mettant en oeuvre de l'hydrogène et du méthane ainsi que, facultativement, du dioxyde de carbone. Le substrat est revêtu de particules de diamant ou est poli au moyen de telles particules avant le procédé CVD. Le procédé produit des revêtements minces clairs à bonne adhérence. Ces revêtements sont particulièrement utiles sur plaquettes de silicium à circuits intégrés.
Asmussen Jes
Reinhard Donnie K.
Ulczynski Michael J.
Board Of Trustees A. Constitutional Corporation Operating Michigan State Universit
Macrae & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1650612