C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
Patent
CA 2648378
The present invention relates to a process for preparing polycrystalline silicon, in which a reaction gas comprising hydrogen and a silicon-containing gas are introduced into a reaction chamber and the silicon-containing gas is thermally decomposed over heated silicon and is deposited on the silicon to form an offgas and this offgas is separated into a first offgas fraction comprising trichlorosilane and chlorosilanes having a lower boiling point than trichlorosilane, and a second offgas fraction comprising components having a higher boiling point than trichlorosilane, and the first offgas fraction is supplied to the reaction gas of a deposition of polycrystalline silicon, and the second offgas fraction is separated into tetrachlorosilane and a high boiler fraction consisting of high boilers, with or without tetrachlorosilane, which comprises supplying the high boiler fraction to the reaction gas of a silicon deposition and heating the reaction gas to a temperature which ensures that the high boiler fraction is present in gaseous form on entry into the reaction chamber of the deposition reactor.
La présente invention a trait à un procédé pour la préparation de silicium polycristallin, dans lequel un gaz de réaction formé d'hydrogène et d'un gaz contenant du silicium est introduit dans une chambre de réaction, et le gaz contenant du silicium subit une décomposition thermique au-dessus de silicium chauffé et est déposé sur le silicium pour former un gaz résiduel, et ce gaz résiduel est séparé en une première fraction de gaz résiduel renfermant du trichlorosilane et des chlorosilanes dont le point d'ébullition est inférieur à celui du trichlorosilane, et en une seconde fraction de gaz résiduel renfermant les composés ayant un point d'ébullition plus élevé que celui du trichlorosilane. Le premier gaz résiduel est acheminé au gaz de réaction d'un dépôt de silicium polycristallin, et la seconde fraction de gaz résiduel est séparée en tétrachlorosilane et en une fraction à point d'ébullition élevé, avec ou sans tétrachlorosilane, en acheminant la fraction à point d'ébullition élevé au gaz de réaction d'un dépôt de silicium et en chauffant le gaz de réaction jusqu'à une température faisant en sorte que la fraction à point d'ébullition élevé est sous forme gazeuse au moment où elle entre dans la chambre de réaction du réacteur de dépôt.
Hesse Karl
Schreieder Franz
Mcfadden Fincham
Wacker Chemie Ag
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1587072