C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 13/36 (2006.01) C01F 7/00 (2006.01)
Patent
CA 2632631
The invention relates to a process for preparing an organically modified layered double hydroxide having a distance between the individual layers of the layered double hydroxide of above 1.5 nm and comprising an organic anion as charge-balancing anion, the process comprising the steps of: (a) preparing a precursor suspension comprising a divalent metal ion source and a trivalent metal ion source; (b) solvothermally treating the precursor suspension to obtain the layered double hydroxide, wherein an organic anion is added before or during the formation of the layered double hydroxide of step (b), or following the formation of the layered double hydroxide, so as to obtain the organically modified layered double hydroxide, with the proviso that deoxycholic acid is not the sole organic anion. The invention further pertains to a process for preparing an organically modified layered double hydroxide having a distance between the individual layers of the layered double hydroxide of above 1.5 nm and comprising an organic anion as charge-balancing anion, the process comprising the steps of: (a) preparing a precursor suspension comprising a divalent metal ion source and a trivalent metal ion source; (b) thermally treating the precursor suspension to obtain the layered double hydroxide, wherein an organic anion is added before or during the formation of the layered double hydroxide of step (b), or following the formation of the layered double hydroxide, so as to obtain the organically modified layered double hydroxide, with the proviso that in step a) the trivalent metal ion source is not reacted with the organic anion at a temperature of between 60 and 85~C for 4 to 8 hours prior to the addition of the divalent metal ion source and step b) is subsequently carried out at a temperature of 90 to 95~C for 4 to 8 hours.
L'invention concerne un procédé permettant de préparer un hydroxyde double lamellaire organiquement modifié dont les couches individuelles sont séparées par une distance supérieure à 1,5 nm et comprenant un anion organique en tant qu'anion équilibreur de charge, le procédé consistant : (a) à préparer une suspension précurseur comprenant une source d'ions métalliques divalents et une source d'ions métalliques trivalents ; (b) à traiter de façon solvothermique la suspension précurseur afin d'obtenir l'hydroxyde double lamellaire en ajoutant un anion organique avant ou pendant la formation de l'hydroxyde double lamellaire de l'étape (b), ou après la formation de l'hydroxyde double lamellaire, de façon à obtenir l'hydroxyde double lamellaire organiquement modifié, à la condition que l'acide désoxycholique ne soit pas le seul anion organique. L'invention concerne également un procédé permettant de préparer un hydroxyde double lamellaire organiquement modifié dont les couches individuelles sont séparées par une distance supérieure à 1,5 nm et comprenant un anion organique en tant qu'anion équilibreur de charge, le procédé consistant : (a) à préparer une suspension précurseur comprenant une source d'ions métalliques divalents et une source d'ions métalliques trivalents ; (b) à traiter thermiquement la suspension précurseur afin d'obtenir l'hydroxyde double lamellaire en ajoutant un anion organique avant ou pendant la formation de l'hydroxyde double lamellaire de l'étape (b), ou après la formation de l'hydroxyde double lamellaire, de façon à obtenir l'hydroxyde double lamellaire organiquement modifié, à la condition que dans l'étape a) la source d'ions métalliques trivalents ne soit pas mise en réaction avec l'anion organique à une température comprise de 60 à 85 °C pendant 4 à 8 heures avant l'addition de la source d'ions métalliques divalents et, par conséquent, l'étape b) se déroule à une température de 90 à 95 °C pendant 4 à 8 heures.
de Vos Siebe Cornelis
Reedijk Marianne Frederika
Schomaker Elwin
Winters Robin
Zijtveld-Van Der Wiel Johanna Henriette
Akzo Nobel N.v.
Norton Rose Or S.e.n.c.r.l. S.r.l./llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1376087