C - Chemistry – Metallurgy – 25 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
25
B
C25B 1/00 (2006.01) C25C 3/06 (2006.01) C25C 3/36 (2006.01) C25C 7/08 (2006.01)
Patent
CA 2439385
Process for preparing highly purified silicon and optionally aluminum and silumin (aluminum silicon alloy) in the same cell, wherein silicate and/or quartz containing rocks are subjected to electrolysis in a salt melt containing fluoride, whereby silicon and aluminum are formed in the same bath, and aluminum formed, which may be low alloyed, flows to the bottom and is optionally drawn off, cathode with deposit is transferred to a Si-furnace, the deposit with Si on the cathode flows down to the bottom of the furnace, and the cathode is removed before melting Si in the furnace, orthe deposit on the cathode(s) is shuffled down into the bath, molten bath or frozen bath containing Si from the cathode deposit istransferred to a Si-furnace after AI has flowed down to the bottom of the electrolysis furnace and been drawn off, the silicon in the cathode deposit and/or from molten or frozen bath, is melted and separated from slag by allowing molten silicon to flow to thebottom in the Si-furnace, slag is stirred intimately into the silicon melt, whereafter slag and Si-melt separate directly, the slag is removed from the Si- melt, and the silicon is subjected to crystal rectification.
L'invention concerne un procédé de préparation de silicium hautement purifié et éventuellement de l'aluminium et de la silumine (alliage d'aluminium-silicium) dans la même cellule. Selon ce procédé, des rochers contenant du silicate et/ou du quartz sont soumis à une électrolyse dans un bain de sel renfermant du fluorure, le silicium et l'aluminium étant formés dans le même bain, et l'aluminium formé, pouvant être faiblement allié, s'écoule vers le fond puis est éventuellement retiré. La cathode présentant un dépôt est acheminée vers un fourneau de production de silicium (Si), le dépôt renfermant Si sur la cathode s'écoule vers le fond du fourneau et ladite cathode est retirée avant la fusion de Si dans le fourneau. De manière alternative, le dépôt présent sur la (les) cathode(s) est placé sur le fond du bain, le bain fondu ou le bain figé renfermant Si à partir du dépôt de la cathode est transféré vers un fourneau Si après l'écoulement de l'aluminium vers le fond du fourneau d'électrolyse et le retrait dudit aluminium. Selon ce procédé, le silicium présent dans le dépôt sur la cathode et/ou dans le bain fondu ou figé est fondu et séparé des scories par l'écoulement du silicium fondu vers le fond du fourneau Si. Ensuite, les scories sont agitées profondément dans le bain de silicium, puis les scories et le bain Si se séparent directement. Ces scories sont retirées du bain Si et le silicium est soumis à une opération de rectification cristalline.
Fetherstonhaugh & Co.
Norwegian Silicon Refinery As
LandOfFree
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