Process for producing a segmented single crystal plate

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 21/301 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01) H01S 3/025 (1995.01) H01S 3/103 (1995.01) H01S 3/18 (1995.01)

Patent

CA 2140697

ABREGE Procédé de fabrication d'une plaquette monocristalline segmentée. on protège une partie de la surface de la première structure par un dépôt d'oxyde, et on attaque les couches non protégées jusqu'à atteindre une couche d'arrêt. Puis on réforme des couches dans la zone attaquée par dépôt épitaxial par jets moléculaires, en donnant à l'une des couches redéposées une composition différente de celle de la couche adjacente. Application à la fabrication de lasers semi-conducteurs à modulateur intégré. Figure à publier : Fig. 5

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