C - Chemistry – Metallurgy – 08 – J
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
08
J
C08J 7/06 (2006.01) B01J 19/08 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/54 (2006.01)
Patent
CA 2122505
Selon le procédé, on soumet le substrat à une décharge électrique à barrière diélectrique, par exemple un décharge en présence d'une atmosphère contenant du silane, un gaz oxydant, NO N2O, CO2 ou O2, notamment, et un gaz porteur neutre tel qu'azote ou argon. On maintient, autour de l'électrode utilisée pour la décharge électrique, une atmosphère contrôlée contenant le silane et le gaz oxydant au voisinage immédiat de l'électrode, en évitant de voir le processus perturbé par de l'air atmosphérique entraîné, par exemple par le substrat en défilement. Ce procédé permet l'obtention de substrats pourvus d'un dépôt d'oxyde de silicium ayant une régularité supérieure à ce qui est obtenu jusqu'ici.
Bouard Pascal
Coeuret Francois
Jouvaud Dominique
Prinz Eckhard
Slootman Frank
L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Proced Es Geo
Ogilvy Renault Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Softal Electronic Gmbh
LandOfFree
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