C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
23/179
C01B 33/107 (2006.01)
Patent
CA 1210221
PRECIS DE LA DIVULGATION: La présente invention concerne un procédé de prépa- ration d'un mélange à base de trichlorosilane utilisable pour la préparation de silicium de haute pureté. Ce procédé est caractérisé en ce que dans une première étape, on réalise la réduction de tétrachlorure de silicium par de l'hydrogène en vue de la production de trichlorosilane, ladite réaction étant effectuée dans un plasma thermique avec trempe du milieu réactionnel? dans une deuxième étape, on fait réagir, à 250-350°C, et de préférence en présence de cuivre comme catalyseur, le mélange réactionnel provenant de la première étape avec du silicium métal- lique de façon à consommer l'acide chlorhydrique contenu dans ledit mélange réactionnel et à produire du trichloro- silane et de l'hydrogène; puis on sépare, d'une part, les gaz permanents, à savoir les gaz plasmagènes, l'hydrogène et éventuellement le gaz de trempe que l'on recycle et, d'autre part, les dérivés du silicium qui sont éventuelle- ment purifiés avant une éventuelle décomposition dans des conditions connues du trichlorosilane.
433086
Lepage Jean-Luc
Simon Gerard
Rhone-Poulenc Specialistes Chimiques
Robic Robic & Associes/associates
LandOfFree
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