C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
148/2.8
C30B 15/04 (2006.01) C30B 11/00 (2006.01) C30B 15/00 (2006.01)
Patent
CA 1311402
PRECIS DE LA DIVULGATION: La présente invention concerne un procédé de préparation de semi - isolants 3-5 monocristallin par dopage, caractérisé en ce que l'on dope la charge de départ de type p avec au moins un donneur profond dû à un élément de transition. Elle concerne également l'utilisation des semi-isolants obtenus dans les domaines de l'optoélectronique et de l'électronique rapide.
534070
Coquille Rene
Lambert Bertrand
Toudic Yves
Etat Francais Represente Par Le Ministre Des Ptt (centre National D'etudes Des
Robic
LandOfFree
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