Process for the production of large specific surface silicon...

C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B

Patent

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252/37, 23/54

C01B 31/36 (2006.01) B01D 53/94 (2006.01) B01J 21/18 (2006.01) B01J 27/224 (2006.01) C10G 49/02 (2006.01)

Patent

CA 1305305

17 ABREGE PROCEDE DE PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM A GRANDE SURFACE SPECIFIQUE ET APPLICATION A DES REACTIONS CATALYTIQUES A TEMPERATURE ELEVEE L'invention concerne un procédé de production de grains fins de carburede silicium, constitués par un agglomérat de grains submicroniques ayant une surface spécifique au moins égale à 100 m2.g-1, destinés notamment à servir de support de catalyseurs pour la pétrochimie, et pour des réactions catalytiques à température élevée pouvant atteindre 1000°C, ce procédé consistant à faire réagir des vapeursde monoxyde de silicium SiO sur du carbone, étant caractérisé en ce que : - on génère des vapeurs de SiO dans une première zone de réaction, par chauffage d'un mélange SiO2+Si, à une température comprise entre 1100 et 1400°C, sous une pression comprise entre 0,1 et 1,5 hPa ; - on met en contact, dans une seconde zone de réaction, les vapeurs de SiO avec du carbone réactif, à l'état divisé, de surface spécifique au moins égale à 200 m2.g-1, à une température comprise entre 1100 et 1400°C. De préférence, le charbon réactif est dopé par une addition de 1 à 10 % en poids d'un élément métallique choisi parmi l'uranium, le cérium, le titane, le zirconium, le hafnium et les lanthanides.

580403

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