C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/037 (2006.01)
Patent
CA 2695393
A process for purifying low-purity metallurgical grade silicon, containing at least one contaminant and obtaining a higher-purity solid polycrystalline silicon is provided. The process includes containing a melt of low-purity metallurgical grade silicon in a mould having insulated bottom and side walls, and an open top; solidifying the melt by unidirectional solidification from the open top towards the bottom wall while electromagnetically stirring the melt; controlling a rate of the unidirectional solidification; stopping the unidirectional solidification when the melt has partially solidified to produce an ingot having an exterior shell including the higher-purity solid polycrystalline silicon and a center including an impurity-enriched liquid silicon; and creating an opening in the exterior shell of the ingot to outflow the impurity-enriched liquid silicon and leave the exterior shell which has the higher-purity solid polycrystalline silicon.
L'invention porte sur un procédé permettant de purifier du silicium de qualité métallurgique à faible degré de pureté contenant au moins un contaminant, et d'obtenir un silicium polycristallin solide de pureté supérieure. Le procédé consiste à mettre une matière fondue de silicium de qualité métallurgique à faible degré de pureté dans un moule muni d'une paroi de fond, de parois latérales isolées et d'une partie supérieure ouverte; solidifier la matière fondue par solidification unidirectionnelle de la partie supérieure ouverte vers la paroi de fond, tout en agitant électromagnétiquement la matière fondue; contrôler la vitesse de la solidification unidirectionnelle; arrêter la solidification unidirectionnelle lorsque la matière fondue s'est partiellement solidifiée et produit un lingot dont la coque extérieure renferme le silicium polycristallin solide de pureté supérieure et le centre renferme un silicium liquide riche en impuretés; et créer une ouverture dans la coque extérieure du lingot pour permettre au silicium liquide riche en impuretés de s'écouler et de sortir de la coque extérieure à silicium polycristallin solide de pureté supérieure.
Boisvert Rene
Leblanc Dominic
Robic
Silicium Becancour Inc.
LandOfFree
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