C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
148/3.6
C30B 23/00 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/04 (2006.01)
Patent
CA 2283268
A method of growing single crystal diamonds in excess of 10 µm in diameter from industrial diamond "seeds" having mean diameters of approximately 1.5 µm is disclosed. The diamonds are grown by exposing the seed diamonds to C70 in the presence of elemental reducing agents such as phosphorus or selenium in evacuated cells at moderate temperatures and pressures. In another aspect of the invention, diamonds are grown by exposing diamond seed particles to vapour phase C70 in the presence of a gas phase metal carbonyl, such as Fe(CO)5 in a temperature range of 400 ~C to 700 ~C to cause at least some of the diamond seed particles to grow.
L'invention concerne un procédé qui permet de faire croître des diamants, se présentant sous forme de cristaux uniques de plus de 10 µm de diamètre, à partir de "germes" de diamants industriels ayant un diamètre d'environ 1,5 µm. On fait croître les diamants en exposant les germes à des fullérènes C¿70? en présence d'agents réducteurs élémentaires, tels que le phosphore ou le sélénium, dans des cellules sous vide, à des températures et à des pressions modérées. Dans un autre aspect de l'invention, on fait croître les diamants en exposant les particules germes à des fullérènes C¿70? en phase vapeur, en présence d'un carbonyle métallique en phase gazeuse, tel que Fe(CO)¿5?, à une température comprise entre 400 et 700 ·C, de façon à induire la croissance d'au moins un certain nombre de particules germes de diamant.
Fu Kejian
Moskovits Martin
Hill & Schumacher
Moskovits Martin
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1364125