C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/035 (2006.01) B01J 8/24 (2006.01) C01B 33/027 (2006.01)
Patent
CA 2759449
In one embodiment, a method includes feeding at least one silicon source gas and polysilicon silicon seeds into a reaction zone; maintaining the at least one silicon source gas at a sufficient temperature and residence time within the reaction zone so that a reaction equilibrium of a thermal decomposition of the at least one silicon source gas is substantially reached within the reaction zone to produce an elemental silicon; wherein the decomposition of the at least one silicon source gas proceeds by the following chemical reaction: 4HSiCl3 ^- -> Si + 3SiCl4 + 2H2, wherein the sufficient temperature is a temperature range between about 600 degrees Celsius and about 1000 degrees Celsius; and c) maintaining a sufficient amount of the polysilicon silicon seeds in the reaction zone so as to result in the elemental silicon being deposited onto the polysilicon silicon seeds to produce coated particles.
L'invention porte, dans un mode de réalisation, sur un procédé de préparation d'un polysilicium haute pureté. Le procédé consiste à introduire au moins un gaz source de silicium et de germes silicium de polysilicium dans une zone de réaction ; maintenir au moins un gaz source de silicium à une température suffisante et pendant un temps de séjour suffisant à l'intérieur de la zone de réaction de façon à ce qu'un équilibre réactionnel d'une décomposition thermique du ou des gaz sources de silicium soit essentiellement atteint à l'intérieur de la zone de réaction pour produire un silicium élémentaire, la décomposition du ou des gaz sources de silicium se déroulant suivant la réaction chimique suivante : 4HSiCl3^-->Si + 3SiCl4 + 2H2, la température suffisante correspondant à une plage de température entre environ 600 degrés Celsius et environ 1000 degrés Celsius ; et c) maintenir une quantité des germes silicium de polysilicium dans la zone de réaction, suffisante pour conduire à un dépôt de silicium élémentaire sur les germes silicium de polysilicium, dans le but de produire des particules enrobées.
Fieselmann Ben
Mixon David
Tsuo York
Ae Polysilicon Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1596215