C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/38 (2006.01) C30B 23/00 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01)
Patent
CA 2344342
Low defect density, low impurity bulk single crystals of AlN, SiC and AlN:SiC alloy are produced by depositing appropriate vapor species of Al, Si, N, C on multiple nucleation sites that are preferentially cooled to a temperature less than the surrounding surfaces in the crystal growth enclosure. The vapor species may be provided by subliming solid source material, vaporizing liquid Al, Si or Al-Si or injecting source gases. The multiple nucleation sites may be unseeded or seeded with a seed crystal such as 4H or 6H SiC.
Selon cette invention, on fabrique des monocristaux en vrac à faible densité de défauts et à faible présence d'impuretés d'AlN, de SiC et d'alliage AlN:SiC par dépôt en phase vapeur des espèces appropriées de Al, de Si et de N sur des sites de nucléation multiples qui sont de préférence refroidis à une température inférieure à celle des surfaces environnantes dans l'enceinte de croissance des cristaux. Les espèces en phase vapeur peuvent être obtenues par la sublimation d'un matériau source solide, par la vaporisation de Al, de Si ou de Al-Si liquides ou par l'injection de gaz sources. Les sites de nucléation multiples peuvent être dotés ou non d'un cristal germe tel que 4H or 6H SiC.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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