C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 29/36 (2006.01) C30B 25/20 (2006.01)
Patent
CA 2346290
Bulk. low impurity silicon carbide single crystals are grown by deposition of vapor species containing silicon and vapor species containing carbon on a crystal growth interface. The silicon source vapor is provided by vaporizing liquid silicon and transporting the silicon vapor to a crystal growth crucible. The carbon vapor species are provided by either a carbon containing source gas (for example, CN) or by flowing the silicon source vapor over or through a solid carbon source, for example flowing the silicon vapor through porous graphite or a bed of graphite particles.
L'invention concerne des monocristaux de carbure de silicium en vrac, à faible degré d'impuretés, dont la croissance est assurée par dépôt d'une phase vapeur à base de silicium et d'une phase vapeur à base de carbone sur une interface de croissance des cristaux. La phase vapeur silicium est assurée par vaporisation de silicium liquide et transfert de ladite phase vers un creuset de croissance des cristaux. L'autre phase est assurée par un gaz source à base de carbone (du type CN) ou par écoulement de ladite phase sur une source de carbone solide ou à travers elle (du type écoulement à travers du graphite poreux ou un lit de particules de graphite).
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1870318