H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/762 (2006.01)
Patent
CA 2714546
In a method for producing a free-standing solid state layer, a solid state material is provided having at least one surface available for layer formation thereon and a layer of polymer is formed on the available surface. The solid state material and polymer layer are then exposed to a change in local temperature from a first temperature that is about room temperature to a second temperature to cause the solid state material to fracture along a plane at a depth in the material, to produce at least one free-standing solid state layer from the solid state material.
Dans un procédé de fabrication d'une couche autonome à semi-conducteurs, un matériau à semi-conducteurs est fourni avec au moins une surface disponible pour la fabrication d'une couche sur celle-ci et une couche de polymère est formée sur la surface disponible. Le matériau à semi-conducteurs et la couche de polymère sont ensuite exposés à un changement de température locale, allant d'une première température qui est aux environs de la température ambiante à une seconde température, pour amener le matériau à semi-conducteurs à se fracturer le long d'un plan à une certaine profondeur dans le matériau, pour produire au moins une couche autonome à semi-conducteurs à partir du matériau à semi-conducteurs.
Lichtensteiger Lukas
Pfeffer Christian
Mbm Intellectual Property Law Llp
President And Fellows Of Harvard College
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1772867