H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/06 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/77 (2006.01) H01L 27/00 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 29/788 (2006.01) H01L 29/872 (2006.01)
Patent
CA 2701412
The present invention relates to electrically active devices (e.g., capacitors, transistors, diodes, floating gate memory cells, etc.) having dielectric, conductor, and/or semiconductor layers with smooth and/or dome-shaped profiles and methods of forming such devices by depositing or printing (e.g., inkjet printing) an ink composition that includes a semiconductor, metal, or dielectric precursor. The smooth and/or dome-shaped cross-sectional profile allows for smooth topological transitions without sharp steps, preventing feature discontinuities during deposition and allowing for more complete step coverage of subsequently deposited structures. The inventive profile allows for both the uniform growth of oxide layers by thermal oxidation, and substantially uniform etching rates of the structures. Such oxide layers may have a uniform thickness and provide substantially complete coverage of the underlying electrically active feature. Uniform etching allows for an efficient method of reducing a critical dimension of an electrically active structure by simple isotropic etch.
L'invention concerne des dispositifs électriquement actifs (par exemple, des condensateurs, des transistors, des diodes, des cellules de mémoire à grille flottante, etc.) possédant des couches diélectriques, conductrices et/ou semi-conductrices avec des profils lisses et/ou en forme de dôme et des procédés de formation de ces dispositifs par dépôt ou impression (par exemple, par impression à jet d'encre) d'une composition d'encre qui renferme un précurseur semi-conducteur, métallique ou diélectrique. Le profil en coupe transversale lisse et/ou en forme de dôme permet des transitions topologiques lisses sans étages nets, empêchant des discontinuités de caractéristique lors du dépôt et permettant une couverture d'étage plus complète des structures successivement déposées. Le profil de l'invention permet à la fois la croissance uniforme de couches d'oxyde par oxydation thermique, et des vitesses de gravure sensiblement uniformes des structures. De telles couches d'oxyde peuvent présenter une épaisseur uniforme et fournir une couverture sensiblement complète de la caractéristique sous-jacente électriquement active. Une gravure uniforme permet un procédé efficace de réduction d'une dimension critique d'une structure électriquement active par simple gravure isotrope.
Chandra Aditi
Kamath Arvind
Molesa Steven
Scher Erik
Smith Patrick
Blaney Mcmurtry Llp
Kovio Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1981295