G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 16/02 (2006.01) G01J 1/42 (2006.01) G01T 1/16 (2006.01) G02F 1/03 (2006.01) G02F 1/15 (2006.01) G11C 11/21 (2006.01) G11C 11/24 (2006.01) G11C 13/02 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01) G02F 1/155 (2006.01)
Patent
CA 2261639
A programmable metallization cell (10) ("PMC") comprises a fast ion conductor such as a chalcogenide-metal ion and a plurality of electrodes (13 and 14) (e.g., an anode and a cathode) disposed at the surface of the fast ion conductor (12) and spaced a set distance apart from each other. Preferably, the fast ion conductor comprises a chalcogenide with Group IB or Group IIB metals, the anode comprises silver, and the cathode comprises aluminum or other conductor. When a voltage is applied to the anode and the cathode, a non- volatile metal dendrite grows from the cathode along the surface of the fast ion conductor towards the anode. The growth rate of the dendrite is a function of the applied voltage and time. The growth of the dendrite may be stopped by removing the voltage and the dendrite may be retracted by reversing the voltage polarity at the anode and cathode. Changes in the length of the dendrite affect the resistance and capacitance of the PMC. The PMC may be incorporated into a variety of technologies such as memory devices, programmable resistor/capacitor devices, optical devices, sensors, and the like. Electrodes additional to the cathode and anode can be provided to serve as outputs or additional outputs of the devices in sensing electrical characteristics which are dependent upon the extent of the dendrite.
Une cellule de métalissation programmable comprend un conducteur d'ions rapide, tel qu'un chalcogénure d'ions métalliques, et plusieurs électrodes (par exemple une anode et une cathode) disposées à la surface du conducteur d'ions rapide et séparées les unes des autres par une distance déterminée. De préférence, le conducteur d'ions rapide comprend un chalcogénure présentant des métaux du groupe IB ou du groupe IIB; l'anode contient de l'argent et la cathode contient de l'aluminum ou un autre conducteur. Lorsqu'une tension est appliquée à l'anode et à la cathode, une dendrite métaallique non volatile se forme sur la cathode et croît le long de la surface du conducteur d'ions rapide vers l'anode. La vitesse de croissance de la dendrite est fonction de la tension appliquée et de la durée de l'opération. On peut interrompre la croissance de la dendrite en désactivant la tension et résorber ladite dendrite en inversant la polarité de tension à l'anode et à la cathode. Une modification de longueur de la dendrite affecte la resistance et la capacité de la cellule de métallisation programmable. La cellule de métallisation programmable peut être incorporée dans toute une gamme de technologies, telles que dispositifs à mémoire, dispositifs résistance-capacité programmables, appareils de surveillance optique, capteurs et autres dispositifs similaires. On peut ajouter à la cathode et à l'anode des électrodes supplémentaires qui serviront de sorties ou de sorties supplémentaire pour les dispositifs et auront pour fonction d'identifier les caractéristiques électriques tributaires de la longueur de la dendrite.
Kozicki Michael N.
West William C.
Arizona Board Of Regents
Axon Technologies Corporation
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1975578