G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/21 (2006.01) G11C 13/02 (2006.01) G11C 16/02 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)
Patent
CA 2312841
A programmable sub-surface aggregating metallization sructure ("PSAM") includes an ion conductor such as a chalcogenide-glass which includes metal ions and at least two electrodes disposed at opposing surfaces of the ion conductor. Preferably, the ion conductor includes a chalcogenide material with Group IB or Group IIB metals. One of the two electrodes is preferably configured as a cathode and the other as an anode. When a voltage is applied between the anode and cathode, a metal dendrite grows from the cathode through the ion conductor towards the anode. The growth rate of the dendrite may be stopped by removing the voltage or the dendrite may be retracted back towards the cathode by reversing the voltage polarity at the anode and cathode. When a voltage is applied for a sufficient length of time, a continuous metal dendrite grows through the ion conductor and connects the electrodes, thereby shorting the device. The continuous metal dendrite then can be broken by applying another voltage. The break in the metal dendrite can be reclosed by applying yet another voltage. Changes in the length of the dendrite or the presence of a break in the dendrite affect the resistance, capacitance, and impedance of the PSAM.
On décrit une structure de métallisation par aggrégation sous-jacente programmable (PSAM) qui comprend un conducteur d'ions, tel qu'un verre de chalcogénure incluant des ions métalliques et au moins deux électrodes disposées sur des surfaces opposées du conducteur d'ions. De préférence, le conducteur d'ions comprend un matériau à base de chalcogénure présentant des métaux des groupes IB ou IIB. De préférence, une des deux électrodes est configurée comme une cathode et l'autre comme une anode. Lorsqu'une tension est appliquée entre l'anode et la cathode, une dendrite métallique se forme de la cathode à l'anode à travers le conducteur d'ions. La vitesse de croissance de la dendrite peut être arrêtée par retrait de la tension, ou la dendrite peut être repoussée vers la cathode par inversion de la polarité de la tension à l'anode et à la cathode. Lorsqu'une tension est appliquée pendant un laps de temps suffisant, une dendrite métallique continue se forme à travers le conducteur d'ions et relie les électrodes, ce qui provoque un court-circuit dans le dispositif. La dendrite métallique continue peut ensuite être rompue par application d'une nouvelle tension et cette rupture peut être comblée de nouveau par application d'une tension. Les modifications de la longueur de la dendrite ou la présence d'une rupture dans la dendrite influent sur la résistance, la capacité et l'impédance de la PSAM.
Kozicki Michael N.
West William C.
Arizona Board Of Regents
Axon Technologies Corporation
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1864236