Protective side wall passivation for vcsel chips

Details Protective side wall passivation for vcsel chips Protective side wall passivation for vcsel chips

H - Electricity

01

S

H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/02 (2006.01)

Patent

CA 2421009

Methods for sealing or passivating the edges of chips such as vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL) is disclosed. One method includes oxidizing the edges of die at the wafer level prior to cutting the wafer into a plurality of die. This may be accomplished by etching a channel along the streets between die, followed by oxidizing the channel walls. The oxidation preferably oxidizes the aluminum bearing layers that are exposed by the channel walls inward for distance. Aluminum bearing layers, including AIAs and AIGaAs, may be oxidized to a stable native oxide that is resistant to further oxidation by the environment. After oxidation, the wafer can be cut along the channels into a number of die, each having a protective oxide layer on the side surfaces.

L'invention concerne un procédé permettant d'étanchéifier ou de passiver les bords de puces, telles que des lasers à cavité verticale et à émission par la surface (VCSEL). Un procédé consiste à oxyder les bords de dé au niveau de la tranche avant la découpe de cette dernière en plusieurs dés. Cette opération peut s'effectuer par gravure d'un canal le long des rangées entre les dés, avant d'oxyder les parois du canal. L'oxydation concerne de préférence les couches support en aluminium qui sont exposées par les parois du canal vers l'intérieur pour marquer une distance. Des couches support en aluminium, dont des couches AlA et AlGaA, peuvent être oxydées à un niveau d'oxyde natif stable résistant à une oxydation ultérieure provoquée par l'environnement. Après oxydation, la tranche peut être découpée le long des canaux en plusieurs dés, chacun présentant une couche protectrice d'oxyde sur les surfaces latérales.

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