G - Physics – 01 – R
Patent
G - Physics
01
R
G01R 31/27 (2006.01) G01R 31/28 (2006.01) G01R 31/316 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
Patent
CA 2457690
Disclosed are methods for providing wafer photonic flow control to a semiconductor wafer (1700) having a substrate (1720), at least one active layer (1765) and at least one surface layer (1710). Photonic flow control can be achieved through the formation of trenches (1725) and/or insulating implants (1730) formed in said wafer (1700), whereby active regions (1760) are defined by trenches (1725) that operate as nonconductive areas (1750). Methods of and systems for wafer level burn-in (WLBI) of semiconductor devices are also disclosed. Photonic flow control at the wafer level is important when using WLBI methods and systems.
L'invention concerne des procédés pouvant assurer un réglage du débit photonique de tranche sur une tranche à semi-conducteur (1700) présentant un substrat (1720), au moins une couche active (1765) et au moins une couche superficielle (1710). Le réglage du débit photonique peut s'effectuer par la formation de tranchées (1725) et/ou d'implants isolants (1730) formés sur ladite tranche (1700), de sorte que des régions actives (1760) soient délimitées par des tranchées (1725) fonctionnant comme zones non conducteurs (1750). L'invention concerne des procédés et des systèmes de rodage au niveau de la tranche (WLBI) de dispositifs à semi-conducteur. Le réglage du débit photonique au niveau de la tranche est important lorsqu'on utilise des techniques et des systèmes WLBI.
Biard James R.
Guenter James K.
Haji-Sheikh Michael J.
Hawkins Robert M.
Bennett Jones Llp
Finisar Corporation
Honeywell International Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1672258