C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/46 (2006.01) B05D 3/06 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01) C23C 26/02 (2006.01) H01J 27/14 (2006.01) H01J 37/317 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01)
Patent
CA 2186102
The present invention is for a high-speed, commercial-scale means for deposition of films and coatings on a substrate. The PIBAD (pulsed ion beam assisted deposition) processes [Fig. 4] allow notonly deposition, but also special modes of post-deposition treatment of films and coatings, including annealing melting and regrowth [Fig. 4A], shock wave treatment, and high-pressure plasma redeposition [Fig. 4B] all of which can alter the mechanical, cohesive, and corrosive properties of the final product. In one embodiment of the invention the power system comprises a motor (5) which drives an alternator (10). The alternator delivers a signal to a pulse compression system (15) which has two subsystems, a 1µs pulse compressor (12), and a pulse forming line (14). The pulse compression system (15) provides pulses to a linear inductive voltage adder (LIVA)(20) which delivers the pulses to the ion beam source (25).
L'invention concerne un moyen très rapide et industrialisable pour le dépôt de films et de revêtements sur un substrat. Les procédés (fig. 4) de dépôt assisté par faisceau d'ions pulsé permettent non seulement le dépôt mais également l'utilisation de modes de traitement spéciaux de post-dépôt de films et de revêtements, dont le recuit, la fusion et la reformation (fig. 4A), le retraitement par ondes de choc, le redépôt au plasma haute pression (fig. 4B), tous pouvant modifier les propriétés mécaniques, de cohésion et de corrosion du produit final. Dans un mode de réalisation de l'invention, le système d'alimentation en puissance comprend un moteur (5) qui entraîne un alternateur (10), lequel envoie un signal à un système de compression d'impulsions (15) constitué de deux sous-systèmes, un compresseur d'impulsions µs (12) et une ligne à retard (14). Le système de compression d'impulsions (15) envoie des impulsions à un additionneur de tensions inductif et linéaire (20) qui envoie les impulsions à la source du faisceau d'ions (25).
Osler Hoskin & Harcourt Llp
Sandia Corporation
LandOfFree
Pulsed ion beam assisted deposition does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Pulsed ion beam assisted deposition, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Pulsed ion beam assisted deposition will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1838891