H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 3/11 (2006.01) H01S 5/0625 (2006.01) H01S 3/082 (2006.01) H01S 5/06 (2006.01)
Patent
CA 2250509
A Q-switched semiconductor laser is supposed to facilitate high-frequency laser modulation with low currents or voltage ranges. According to the invention, a laser of this type consists of at least one continually pumped active medium and two optically coupled resonators at least one of which is passive, both resonators having different mode "" corresponding to the Nonius principle, at least one resonator mirror taking the form of a reflector with strongly dispersive reflection characteristics in the laser wavelength range selected by the double resonator, the index of refraction of the passive resonator and/or reflector capable of being adjusted electronically. With this device, the reflectivity of the laser wavelength can be adjusted in such a way that, with a fixed effective amplification by electrical modulation of the reflectivity of the resonator reflector with strongly dispersive reflection characteristics, the laser threshold can be raised or lowered so as to switch the semiconductor laser on or off.
L'invention vise à créer un laser à semiconducteur déclenché permettant une modulation laser haute fréquence avec des courants d'intensité faible ou des plages de tension réduites. Selon l'invention, un tel laser comprend au moins un milieu actif pompé de façon constante et deux résonateurs couplés optiquement. Au moins un résonateur est conçu en tant que résonateur passif et les deux résonateurs présentent des peignes produisant des modes différents selon le principe du vernier. Au moins un miroir de résonateur est conçu en tant que réflecteur avec une caractéristique de réflexion fortement dispersive dans la plage des longueurs d'onde laser sélectionnées par le double résonateur, et l'indice de réfraction du résonateur passif et/ou du réflecteur peut être accordé électroniquement. Ce dispositif permet de régler la réflectivité pour les longueurs d'onde laser de sorte qu'en cas d'amplification fixe efficace par modulation électrique de la réflectivité du miroir de résonateur présentant une caractéristique de réflexion fortement dispersive, le seuil de l'effet laser peut être abaissé ou élevé de façon à mettre en ou hors service le laser à semiconducteur.
Mohrle Martin
Sartorius Bernd
Heinrich-Hertz-Institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1698506