H - Electricity – 04 – L
Patent
H - Electricity
04
L
H04L 27/20 (2006.01)
Patent
CA 2145622
The present invention has an object to provide a compact quadrature modulator manufactured at low cost in such a manner that an input level is low over a wide high frequency band, and few input signals are wrapped around an output terminal. The quadrature modulator is mainly constructed of a multi-layer substrate into which a 90-degree phase shifter is assembled, a semiconductor integrated modulator circuit into which two sets of 2-phase modulators and an output signal in-phase synthesizing circuit, and a lid. The multi-layer substrate is constructed of "n" pieces of layers in total, namely from a first substrate corresponding to an uppermost layer to an n-th substrate corresponding to a lowermost layer. The first substrate layer is a layer for assembling a semiconductor integrated circuit, or a layer for connecting a substrate with a semiconductor integrated circuit. The 90-degree phase shifter is constituted by distributed coupling circuits having wavelengths of .lambda.g/4 by both of wiring patterns formed on the substrates corresponding to an intermediate layer of the multi-layer substrate. A wiring pattern connected to a ground terminal and other circuit components are formed on the n-th substrate layer, i.e., the lowermost layer.
La présente invention a pour objet de fournir un modulateur en quadrature peu dispendieux et de faible taille de manière que le niveau d'entrée soit faible sur une large bande de hautes fréquences et que peu de signaux d'entrée soient groupés à une borne de sortie. Le modulateur en quadrature est essentiellement constitué d'un substrat multicouches dans lequel un déphaseur à 90 est réalisé, d'un circuit modulateur intégré en semiconducteurs comportant deux ensembles de modulateurs biphase, d'un circuit de synthèse de signal de sortie en phase, et d'un couvercle. Le substrat multicouches est composé d'un total de n couches, nommément d'un premier substrat correspondant à la couche supérieure d'un n-ième substrat correspondant à la couche la plus basse. La couche du premier substrat est une couche servant à constituer un circuit intégré à semiconducteurs, ou une couche servant à connecter un substrat à un circuit intégré à semiconducteurs. Le déphaseur à 90 degrés est constitué de circuits de couplage distribués ayant des longueurs d'onde de .lambda.g/4 en raison des diagrammes de câblage réalisés sur les substrats correspondant à une couche intermédiaire du substrat multicouches. Un diagramme de câblage connecté à une borne de terre et d'autres composants de circuit sont formés sur la couche du n-ième substrat, c.-à-d. la couche la plus basse.
Corporation Nec
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1963415