Quantum dot lasers

Details Quantum dot lasers Quantum dot lasers

H - Electricity

01

S

H01S 5/00 (2006.01) H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 5/40 (2006.01)

Patent

CA 2423782

A quantum dot active region is disclosed in which quantum dot layers are formed using a self-assembled growth technique. In one embodiment, growth parameters are selected to control the dot density and dot size distribution to achieve desired optical gain spectrum characteristics. In one embodiment, the distribution in dot size and the sequence of optical transition energy values associated with the quantum confined states of the dots are selected to facilitate forming a continuous optical gain spectrum over an extended wavelength range. In another embodiment, the optical gain is selected to increase the saturated ground state gain for wavelengths of 1260 nanometers and greater. In other embodiments, the quantum dots are used as the active region in laser devices, including tunable lasers and monolithic multi- wavelength laser arrays.

L'invention concerne une région active à points quantiques dans laquelle des couches de points quantiques sont formées par grossissement par auto-assemblage. Dans un mode de réalisation, des paramètres de grossissement sont sélectionnés afin de réguler la répartition de la densité et de la grosseur des points de manière à obtenir des caractéristiques de courbe spectrale à gain optique souhaitées. Dans un mode de réalisation, la répartition de la grosseur des points et la séquence des valeurs d'énergie de transition optique associées aux états confinés quantiques des points sont sélectionnés afin de faciliter la formation d'une courbe spectrale à gain optique continue sur une gamme de longueurs d'ondes étendue. Dans un autre mode de réalisation, le gain optique est sélectionné de manière à augmenter le gain à l'état normal saturé pour des longueurs d'ondes égales ou supérieures à 1260 nanomètres. Dans d'autres modes de réalisation, les points quantiques sont utilisés en tant que région active dans des dispositifs laser, y compris des lasers accordables, et des réseaux laser monolithiques à longueurs d'ondes multiples.

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