H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/18 (2006.01) H01L 21/266 (2006.01) H01S 5/026 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01)
Patent
CA 2398359
The present invention provides a novel technique based on gray scale mask patterning (110), which requires only a single lithography and etching step (110, 120) to produce different thickness of SiO2 implantation mask (13) in selected regions followed by a one step IID (130) to achieve selective area intermixing. This novel, low cost, and simple technique can be applied for the fabrication of PICs in general, and WDM sources in particular. By applying a gray scale mask technique in IID in accordance with the present invention, the bandgap energy of a QW material can be tuned to different degrees across a wafer (14). This enables not only the integration of monolithic multiple- wavelength lasers but further extends to integrate with modulators and couplers on a single chip. This technique can also be applied to ease the fabrication and design process of superluminescent diodes (SLDs) by expanding the gain spectrum to a maximum after epitaxial growth.
L'invention concerne une nouvelle technique basée sur le modelage des contours de masque d'échelle de gris (110), qui ne nécessite qu'une seule lithographie et qu'une seule phase de gravure (110, 120) afin de produire une épaisseur différente de masque d'implantation SiO¿2? (13) dans certaines régions sélectionnées suivies d'une étape à deux dimensions (130), en vue de réaliser un mélange de zone sélectif. Cette nouvelle technique, peu coûteuse et simple, peut être appliquée en vue de fabriquer des circuits intégrés photoniques (PIC) en général et des sources MLO en particulier. L'application d'une technique de masque d'échelle de gris en deux dimensions conformément à la présente invention permet de régler l'énergie de la bande interdite d'un matériau de puits quantique à différents degrés dans une tranche (14). Ceci permet non seulement l'intégration de lasers à longueurs d'ondes multiples monolithiques mais également l'extension en vue d'une intégration avec des modulateurs et des coupleurs sur une seule puce. Cette technique peut également être appliquée pour faciliter la fabrication et le procédé de conception de diodes supraluminescentes (SLD), en accroissant le spectre de gain au maximum après la croissance épitaxiale.
Chan Yuen Chuen
Lam Yee Loy
Ooi Boon Siew
Tam Siu Chung
Zhou Yan
Borden Ladner Gervais Llp
Ntu Ventures Pte Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1711267