H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01S 5/20 (2006.01) H01S 3/18 (1995.01)
Patent
CA 2139141
The present invention provides a quantum-well semiconductor laser device having a substrate, a first clad layer on the substrate, a first optical confinement layer on the first clad layer, an active layer on the first optical confinement layer, a second optical confinement layer on the active layer, and a second clad layer on the second optical confinement layer, each layer being formed of a semiconductor. The active layer is formed by a series of multi-layer quantum-well structures each comprising a quantum-well layer, a first barrier layer adjacent the quantum-well layer, and a second barrier layer adjacent the first barrier layer. The semiconductor of the first barrier layer has a higher energy level at a .GAMMA. point of a valence band than does the semiconductor of the second barrier layer.
La présente invention porte sur un laser à semi-conducteur à puits quantiques constitué d'un substrat, d'une première couche protectrice recouvrant ce substrat, d'une première couche de confinement optique déposée sur cette première couche protectrice, d'une couche active déposée sur cette première couche de confinement optique, d'une seconde couche de confinement optique déposée sur cette couche active et d'une seconde couche de protection déposée sur la seconde couche de confinement optique, chaque couche étant faite d'un semi-conducteur. La couche active est constituée d'une suite de structures à puits quantiques multicouche comportant chacune une couche de puits quantiques, une première couche barrière adjacente à cette couche de puits quantiques et une seconde barrière adjacente à la première. Le semi-conducteur de la première couche barrière a un niveau d'énergie plus élevé au point dans la bande de valence que le semi-conducteur de la seconde couche barrière.
Corporation Nec
G. Ronald Bell & Associates
Tomita Akihisa
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1487956