Radial bulk annular resonator using mems technology

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 41/00 (2006.01)

Patent

CA 2526466

A MEMS resonator includes an annular resonator body defined by an inner radius and an outer radius, a first electrode positioned within the inner radius and spaced from the resonator body, and a second electrode positioned around the annular resonator body and spaced from the outer radius. The first electrode and the second electrode provide for capacitive drive of the resonator body and capacitive sense of the resonator body. Piezo-resistive sense and piezoelectric drive/sense techniques can also be utilized. The overall extant can be smaller than 1 cm2 in area and positioned on a supporting substrate by a plurality of anchors. The substrate can comprise an RF transceiver integrated circuit with the anchors connecting the drive electrode and sense electrode to the integrated circuit. The resonator is readily fabricated using conventional semiconductor integrated circuit fabrication techniques.

Un résonateur MEMS comprend un corps de résonateur annulaire délimité par un rayon interne et un rayon externe : une première électrode est montée dans le rayon interne à l'écart du corps de résonateur, et une seconde électrode est montée autour du corps de résonateur annulaire à l'écart du rayon extérieur. La première électrode et la seconde électrode assurent la commande capacitive du corps de résonateur ainsi que la détection capacitive du corps de résonateur. On peut également utiliser des techniques de détection piézorésistives et de commande/détection piézo-électriques. La largeur totale peut être inférieure à 1 cm?2¿ en surface. Le montage se fait sur un substrat de support, au moyen d'une série d'éléments d'ancrage. Le substrat peut comprendre un circuit intégré à émetteur-récepteur RF, les éléments d'ancrage connectant l'électrode de commande et l'électrode de détection au circuit intégré. Le résonateur est facile à fabriquer par des techniques classiques de fabrication de circuits intégrés de semi-conducteurs.

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