Radiation detector

G - Physics – 01 – T

Patent

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Details

358/32

G01T 1/24 (2006.01) G01T 1/26 (2006.01) H01L 31/115 (2006.01)

Patent

CA 2009178

A composite radiation detection and indicating device comprises first, third and fifth layers of a transparent conductive material, a second layer of semiconductive diamond between the first and third layers, and a fourth layer of liquid crystal material between the third and fifth layers. The layers are sandwiched together so that a diodic structure having a radiation-dependent charge storage characteristic is defined by the first, second and third layers, and a liquid crystal display element is defined by the third, fourth and fifth layers. The invention extends to a radiation detector including the composite device, together with an oscillator for applying a charge to the diodic structure, and a sensor for monitoring the decay of the stored charge. A voltage is applied to the liquid crystal display element to cause it to change state when the charge stored by the diodic structure decays below a predetermined limit.

Cette invention concerne un composite détecteur-indicateur de rayonnement formé d'une première, d'une troisième et d'un cinquième couches de matériau conducteur transparent, d'une seconde couche de diamants semiconducteurs entre la première et la troisième couches et d'une quatrième couche de cristaux liquides interposée entre la troisième et la cinquième couches. Les couches sont pressées ensemble pour former une structure diode à caractéristique d'accumulation de charge fonction du rayonnement détecté, définie par les première, deuxième et troisième couches, et un élément de visualisation à cristaux liquides défini par les troisième, quatrième et cinquième couches. Cette invention concerne également un détecteur de rayonnement intégrant le composite susmentionné ainsi qu'un oscillateur servant à appliquer une charge à la structure diode et un capteur servant mesurer la décroissance de la charge accumulée. Une tension appliquée à l'élément de visualisation à cristaux liquides y engendre un changement d'état lorsque la charge accumulée dans la structure diode chute sous une valeur limite prédéterminée.

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