G - Physics – 01 – H
Patent
G - Physics
01
H
G01H 1/00 (2006.01)
Patent
CA 2581248
Random access memory including nanotube switching elements. A memory cell includes first and second nanotube switching elements and an electronic memory. Each nanotube switching element includes an output node, a nanotube channel element having at least one electrically conductive nanotube, and a control structure having a set electrode and a release electrode disposed in relation to the nanotube channel element to controllably form and unform an electrically conductive channel between said channel electrode and said output node. The electronic memory has cross-coupled first and second inverters. The input node of the first inverter is coupled to the set electrode of the first nanotube switching element and to the output node of the second nanotube switching element. The input node of the of the second inverter is coupled to the set electrode of the second nanotube switching element and to the output node of the first nanotube switching element; and the channel electrode is coupled to a channel voltage line. The release electrode of the first nanotube switching element is coupled to the release electrode of the second nanotube switching element and wherein both release electrodes are coupled to a release line. The cell can operate as a normal electronic memory, or can operate in a shadow memory or store mode (e.g., when power is interrupted) to transfer the electronic memory state to the nanotube switching elements. The device may later be operated in a recall mode where the state of the nanotube switching elements may be transferred to the electronic memory.
La présente invention se rapporte à une mémoire vive comprenant des éléments de commutation à nanotube. Une cellule mémoire comprend des premier et second éléments de commutation à nanotube, et une mémoire électronique. Chaque élément de commutation à nanotube comporte un noeud de sortie, un élément canal à nanotube possédant au moins un nanotube conducteur, et une structure de commande dotée d'une électrode de réglage et d'une électrode de libération, disposées par rapport à l'élément canal à nanotube de manière à former et à défaire de manière contrôlable un canal conducteur entre ladite électrode de canal et ledit noeud de sortie. La mémoire électronique possède des premier et second onduleurs à couplage croisé. Le noeud d'entrée du premier onduleur est couplé à l'électrode de réglage du premier élément de commutation à nanotube et au noeud de sortie du second élément de commutation à nanotube. Le noeud d'entrée du second onduleur est couplé à l'électrode de réglage du second élément de commutation à nanotube et au noeud de sortie du premier élément de commutation à nanotube. L'électrode de canal est couplée à une ligne de tension de canal. L'électrode de libération du premier élément de commutation à nanotube est couplée à l'électrode de libération du second élément de commutation à nanotube, les deux électrodes de libération étant couplées à une ligne de libération. La cellule peut fonctionner comme une mémoire électronique normale, ou dans un mode mémoire fantôme (par exemple, en cas d'interruption de l'alimentation), afin de transférer l'état de mémoire électronique aux éléments de commutation à nanotube. Le dispositif peut ensuite fonctionner dans un mode rappel, dans lequel l'état des éléments de commutation à nanotube peut être transféré à la mémoire électronique.
Bertin Claude L.
Rueckes Thomas
Segal Brent M.
Nantero Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1422407