Reactive magnetron sputtering apparatus and method

C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C

Patent

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C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/00 (2006.01) H01J 37/34 (2006.01)

Patent

CA 2254354

A method and apparatus for producing optical films on substrates having extremely high packing densities of the same quality as those films produced by ion beam sputtering including a vacuum chamber with a conventional magnetron sputtering system and unusually high speed vaccum pump means. The low pressure of inert gas created by said high speed vacuum pump means being in the range of 5 x 10-5 Torr to 2.0 x 10-4 Torr and the magnetron sputtering system being at least 20'' from said substrates. A gas manifold around the magnetron and target material confines the inert working gas in the vicinity of the magnetron and as the gas diffuses and expands into the chamber the high speed vacuum pump means removes the expanded gas from the chamber at the high speed. An ion gun directs ionized reactant gas toward the substrates which has the effect of improving film stoichiometry as well as reducing reactant gas at the magnetron. Multiple magnetron assemblies, multiple target materials and compound target materials may be used.

Cette invention se rapporte à un procédé et à un appareil qui servent à produire des films optiques sur des substrats ayant des densités de tassement extrêmement élevées et qui sont de la même qualité que les films produits par pulvérisation au canon à ions, utilisant une chambre sous vide avec un système de pulvérisation au magnétron tradionnel et une pompe à vide à vitesse exceptionnellement élevée. La basse pression du gaz inerte créé par cette pompe à vitesse élevée est comprise entre 5 x 10?-5¿ Torr et 2,0 x 10?-4¿ Torr et le système de pulvérisation au magnétron est placé à au moins 20 pouces de ces substrats. Un collecteur de gaz placé autour du magnétron et du matériau cible confinent le gaz de travail inerte à proximité du magnétron et, à mesure que le gaz se diffuse et se dilate dans la chambre, la pompe à vide haute vitesse retire le gaz dilaté de la chambre à vitesse élevée. Un canon ionique dirige le gaz réactif ionisé en direction des substrats, ce qui a pour effet d'améliorer la stoechiométrie du film et de réduire le gaz réactif au niveau du magnétron. Des unités à magnétrons multiples, des matériaux cibles multiples et des matériaux cibles composés peuvent être utilisés.

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