C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) H01J 7/18 (2006.01) H01J 37/18 (2006.01)
Patent
CA 2208162
An apparatus for carrying out reactive physical vapor deposition on a substrate to form a nitride layer, comprises a vacuum chamber, a substrate support in the vacuum chamber, a target over the substrate support made of a refractory or noble metal, for example titanium and tantalum, a gas inlet for supplying nitrogen gas to the vacuum chamber, and a non-evaporable getter pump for serving as the primary pumping means in the vacuum chamber during the reactive physical vapor deposition of a nitride of the metal onto the substrate. The non-evaporable getter pump consists of a material insensitive to nitrogen, such as an alloy of zirconium and iron.
Un appareil pour effectuer des dépôts physiques en phase gazeuse sur un substrat afin d'y former une couche de nitrure, comprend une chambre à vide, un support pour le substrat dans la chambre à vide, une cible au-dessus du support de substrat fabriquée d'un métal réfractaire ou noble (titane ou tantale), un conduit d'admission de gaz pour alimenter la chambre à vide en azote gazeux et une pompe à adsorption chimique (getter pump) non évaporable servant de dispositif de pompage principal dans la chambre à vide pendant que s'effectue le dépôt physique en phase gazeuse du nitrure du métal sur le substrat. La pompe à adsorption chimique non évaporable est constituée d'un matériau insensible à l'azote, comme un alliage de zirconium et de fer.
Marks & Clerk
Mitel Corporation
Zarlink Semiconductor Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2085780