H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01) H01L 31/068 (2006.01)
Patent
CA 2708616
The invention relates to a rear-contact solar cell and to a method for producing the same. The rear-contact solar cell comprises a semiconductor substrate (1) on the rear side surface (3) of which emitter regions (5), contacted by emitter contacts (11), and base regions (7), contacted by base contacts (13), are defined. The emitter regions and the base regions overlap at least in overlap regions (19), the emitter regions (5) in the overlap regions (19) reaching deeper into the semiconductor substrate (1) than the base regions (7), when seen from the rear side surface of the solar cell. As a result, a large area percentage of the rear side of the semiconductor substrate can be covered with a charge-collecting emitter, said emitter being at least partially buried in the interior of the semiconductor substrate (1) so that there is no risk of the base contacts (13) provoking a short circuit towards the buried emitter regions (5).
L'invention concerne une cellule solaire à contact arrière et un procédé de fabrication de celle-ci. La cellule solaire à contact arrière comporte un substrat à semi-conducteurs (1) dont la surface du côté arrière (3) présente des zones d'émetteur (5) mises en contact par des contacts d'émetteur (11), et des zones de base (7) mises en contact par des contacts de base (13). Les zones d'émetteur (5) et les zones de base se chevauchent au moins dans des zones de chevauchement. Vues depuis la surface du côté arrière de la cellule solaire, dans les zones de chevauchement (19), les zones d'émetteur (5) s'étendent plus profondément dans le substrat à semi-conducteur (1) que les zones de base. De ce fait, une grande partie de la surface du côté arrière du substrat à semi-conducteurs peut être recouverte d'un émetteur collectant les porteurs de charge, cet émetteur étant toutefois au moins partiellement enfoui dans le substrat à semi-conducteurs (1), de telle manière que les contacts de base (13) ne risquent pas de provoquer un court-circuit avec les zones d'émetteur enfouies (5).
Borden Ladner Gervais Llp
Institut Fuer Solarenergieforschung Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1911146