Recovery of surface-ready silicon carbide substrates

Details Recovery of surface-ready silicon carbide substrates Recovery of surface-ready silicon carbide substrates

H - Electricity

01

L

H01L 21/02 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2286019

A method is disclosed for recovering surface-ready silicon carbide substrates from heteroepitaxial structures of Group III nitrides on silicon carbide substrates. The method comprises subjecting a Group III nitride epitaxial layer on a silicon carbide substrate to a stress that sufficiently increases the number of dislocations in the epitaxial layer to make the epitaxial layer subject to attack and dissolution in a mineral acid, but that otherwise does not affect the silicon carbide substrate, and threafter contacting the epitaxial layer with a mineral acid to remove the Group III nitride while leaving the silicon carbide substrate unaffected.

L'invention concerne un procédé pour récupérer des substrats en carbure de silicium à surface prête à l'emploi, dans des structures hétéroépitaxiales aux nitrures du groupe III se trouvant sur des substrats en carbure de silicium. Le procédé consiste d'abord à soumettre à une contrainte une couche épitaxiale en nitrure du groupe III sur un substrat au carbure de silicium, de manière à augmenter suffisamment le nombre de dislocations dans ladite couche, ce qui rend cette couche sensible à l'attaque et à la dissolution dans un acide inorganique, mais sans affecter par ailleurs le substrat au carbure de silicium. Ensuite, la couche épitaxiale est mise en contact avec un acide inorganique, de manière à ôter le nitrure du groupe III, sans affecter le substrat au carbure de silicium.

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