H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
Patent
CA 2140403
In the channel layer of a thin film transistor (TFT), a channel and its drain meet at a transition within a transition region. The channel extends in a first, or horizontal, dimension away from the drain and extends in a second, or vertical, dimension from a side away from the gate to a side toward the gate. The charge carrier densities in the transition region vary in the second dimension in a way that reduces leakage current, because the position of the maximum electric field is moved away from the gate and its magnitude is reduced. Variation of densities in the second dimension can be produced by high angle implantation of a dopant and a counterdopant, providing a transition region between the drain and the channel underneath the gate. Variation of densities in the second dimension can also be produced with non-angled implantation by a process in which a sidewall spacer offsets the drain, providing a transition region that is between the drain and the channel and that can be doped independently of the drain. In a symmetric TFT in which either channel lead can function as a drain, charge carrier densities can vary in the second dimension at the transitions between each channel lead and the channel.
Dans la couche à canaux d'un transistor en couches minces, un canal et son drain se rejoignent à un point de transition dans une région de transition. Le canal s'étend dans une première direction horizontale en s'éloignant du drain, et s'étend dans une seconde direction verticale de part et d'autres de la gâchette. L'intensité des porteurs de charge dans la région de transition varie dans la seconde direction de telle façon qu'il en résulte une réduction du courant de fuite car le point où le champ électrique est maximum est plus loin de la gâchette et le maximum du champ est réduit. Les variations de densité dans la seconde direction peuvent être obtenues par l'injection d'un dopant et d'un contredopant à un grand angle d'incidence, ce qui crée une région de transition entre le drain et le canal qui se trouve sous la gâchette. Les variations de densité dans la seconde direction peuvent être obtenues par une injection à un angle quelconque dans un processus où un séparateur latéral décale le drain, créant une région de transition entre le drain et le canal qui peut être dopée indépendamment du drain. Dans un transistor en couches minces symétrique où l'un ou l'autre des conducteurs de canal peut servir de drain, les densités des porteurs de charge peuvent varier dans la seconde direction aux points de transition entre un conducteur de canal et le canal correspondant.
Hack Michael G.
King Tsu-Jae
Sim & Mcburney
Xerox Corporation
LandOfFree
Reducing leakage current in a thin-film transistor with... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Reducing leakage current in a thin-film transistor with..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Reducing leakage current in a thin-film transistor with... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1578497