G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 16/28 (2006.01) G11C 7/06 (2006.01) G11C 7/14 (2006.01)
Patent
CA 2391331
A reference cell (47) for use in a high speed sensing circuit includes a first sub-circuit (73) and a second sub-circuit (71). The first sub-circuit (73) has a structure similar to memory cells within odd number rows of a main memory array. The second sub-circuit (71) has a structure similar to memory cells within even numbered rows of the main memory array. If a target cell within the main memory array lies within an odd numbered row, then the first sub- circuit is selected, and if the target cell lies within an even numbered row, then second sub-circuit is selected. Both of the first and second sub-circuits include a reference transistor (85, 75) having its control gate (99, 91) broken into two parts. A first part is a poly 1 layer and is separated from the channel region by a tunneling oxide. A second part is a metal or poly 2 layer over the first part and separated from the first part by a gate oxide. A via (101, 95) is used to connect the first part to the second part.
L'invention comprend une cellule de référence (47) prévue pour être utilisée dans un circuit de détection ultra-rapide. Cette cellule comprend un premier sous-circuit (73) et un deuxième sous-circuit (71). Ce premier sous-circuit (73) comporte une structure semblable aux cellules de mémoire dans des rangées de nombre impair d'un ensemble de mémoire principal. Le deuxième sous-circuit (71) présente une structure semblable aux cellules de mémoire dans des rangées de nombre pair de l'ensemble de mémoire principal. Lorsqu'une cellule cible dans l'ensemble de mémoire principal se situe dans une rangée à nombre impair, alors le premier sous-circuit est sélectionné, et si la cellule cible se situe dans une rangée à nombre pair, alors le deuxième sous-circuit est sélectionné. Les premier et deuxième sous-circuits comprennent un transistor de référence (85, 75) comportant une porte de commande (99, 91) divisée en deux parties. Une première partie est une couche poly 1 et est séparée de la zone de canal par un oxyde à pénétration par effet tunnel. Une deuxième partie est une couche de métal ou poly 2 sur la première partie et séparée de la première partie par un oxyde de porte. Un trou (101, 95) est utilisé pour connecter la première partie à la deuxième partie.
Pathak Jagdish
Pathak Saroj
Payne James E.
Atmel Corporation
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1831567