Reflecting semiconductor substrates

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G - Physics

02

B

G02B 1/02 (2006.01) G02B 5/08 (2006.01) H01L 31/0232 (2006.01) H01L 31/0352 (2006.01)

Patent

CA 2219141

A semiconductor substrate, suitable for epitaxial growth thereon, comprising a plurality of layers of material. The interfaces between layers act as reflectors of electromagnetic radiation. The reflectors may be used in, for example, resonant cavities in which may be located, for example, multi-quantum well detectors, the efficiency of said detectors being increased by virtue of the enhanced electric field associated with resonance in the cavity.

Un substrat à semiconducteurs, pouvant supporter une croissance épitaxiale, comprend une pluralité de couches de matériau. Les interfaces entre les couches jouent le rôle de réflecteurs de rayonnement électromagnétique. Les réflecteurs peuvent être utilisés, par exemple, dans des cavités résonnantes dans lesquelles des détecteurs à puits quantiques multiples, par exemple, peuvent être placés, l'efficacité de ces détecteurs étant accrue grâce à un meilleur champ électrique et à la résonance de la cavité.

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