Reflective ohmic contact for silicon carbide, light emitting...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 21/04 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)

Patent

CA 2515287

Reflective ohmic contacts for n-type silicon carbide include a layer consisting essentially of nickel on the silicon carbide. The layer consisting essentially of nickel is configured to provide an ohmic contact to the silicon carbide, and to allow transmission therethrough of optical radiation that emerges from the silicon carbide. A reflector layer is on the layer consisting essentially of nickel, opposite the silicon carbide. A barrier layer is on the reflector layer opposite the layer consisting essentially of nickel, and a bonding layer is on the barrier layer opposite the reflector layer. It has been found that the layer consisting essentially of nickel and the reflector layer thereon can provide a reflective ohmic contact for silicon carbide that can have low ohmic losses and/or high reflectivity.

La présente invention a trait à des contacts ohmiques réfléchissants pour carbure de silicium de type n comprenant une couche essentiellement constituée de nickel sur le carbure de silicium. La couche essentiellement constituée de nickel est agencée pour fournir un contact ohmique au carbure de silicium, et pour permettre la transmission à travers celui-ci d'un rayonnement optique qui émerge du carbure de silicium. Une couche réfléchissante se trouve sur la couche essentiellement constituée de nickel, en regard du carbure de silicium. Une couche barrière se trouve sur la couche réfléchissante en regard de la couche essentiellement constituée de nickel, et une couche de liaison se trouve sur la couche barrière en regard de la couche réfléchissante. On a noté que la couche essentiellement constituée de nickel et la couche réfléchissante qui se trouve dessus peuvent assurer un contact ohmique réfléchissant pour le carbure de silicium pouvant avoir de faibles pertes ohmiques et/ou un pouvoir réflecteur élevé.

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