C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 18/00 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01)
Patent
CA 2450258
The invention relates to a method of depositing a layer of metal and to a method of regenerating a solution containing metal ions in a high oxidation state. To regenerate tin ions consumed from a tin plating solution by metal deposition, it has been known in the art to carry the plating solution over metallic tin to cause tin (II) ions to form. However, the amount of tin contained in thus regenerated baths slowly and continuously increases. The solution to this problem is to utilize an electrolytic regeneration cell that is provided with at least one auxiliary cathode and with at least one auxiliary anode. Tin serving for regeneration is electrolytically deposited from the solution onto the at least one auxiliary cathode in the electrolytic regeneration cell. The solution is carried over the tin serving for regeneration in order to reduce formed tin (IV) ions to tin (II) ions.
L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche de métal ainsi qu'un procédé de régénération d'une solution contenant des ions métalliques présentant une oxydation avancée. Pour régénérer les ions d'étain consumés à partir d'une solution de placage à l'étain par dépôt métallique, la technique actuelle consiste à déposer la solution de placage sur un étain métallique en vue d'entraîner la formation d'ions d'étain (II). Or, on a observé que la quantité d'étain contenu dans les bains ainsi régénérés augmente lentement de manière continue. La solution à ce problème consiste à utiliser une cellule de régénération électrolytique dotée d'au moins une cathode auxiliaire et d'au moins une anode auxiliaire. L'étain destiné à une régénération est déposé par voie électrolytique à partir de la solution sur ladite cathode auxiliaire dans la cellule de régénération électrolytique. On dépose alors ladite solution sur l'étain de régénération, d'où la réduction des ions d'étain de type (IV) formés en ions d'étain de type (II).
Beck Thomas
Lamprecht Sven
Matejat Kai-Jens
Schoeder Rolf
Schreier Hans-Jurgen
Atotech Deutschland Gmbh
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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