C - Chemistry – Metallurgy – 09 – K
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
09
K
C09K 13/00 (2006.01) C09K 13/04 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01)
Patent
CA 2589168
A method and composition for removing silicon-containing sacrificial layers from Micro Electro Mechanical System (MEMS) and other semiconductor substrates having such sacrificial layers is described. The etching compositions include a supercritical fluid (SCF), an etchant species, a co-solvent, and optionally a surfactant. Such etching compositions overcome the intrinsic deficiency of SCFs as cleaning reagents, viz., the non-polar character of SCFs and their associated inability to solubilize polar species that must be removed from the semiconductor substrate. The resultant etched substrates experience lower incidents of stiction relative to substrates etched using conventional wet etching techniques.
La présente invention concerne un procédé et une composition pour l'enlèvement de couches sacrificielles contenant du silicium sur les systèmes micro-électromécaniques (MEMS) et sur d'autres substrats semi-conducteurs pourvus de telles couches sacrificielles. Les compositions d'attaque contiennent un fluide supercritique (SCF), une espèce attaquante, un co-solvant, et éventuellement un tensioactif. Ces compositions d'attaque évitent les insuffisances intrinsèques des fluides supercritiques utilisés comme réactifs de nettoyage, et notamment le caractère non polaire de ces fluides supercritiques, ainsi que leur inaptitude concomitante à solubiliser les espèces polaires à éliminer du substrat semi-conducteur. Les substrats ainsi traités donnent lieu à moins d'incidents par frottement d'adhérence que les substrats traités avec les techniques d'attaques humides conventionnelles.
Baum Thomas H.
Ghenciu Eliodor G.
Korzenski Michael B.
Xu Chongying
Advanced Technology Materials Inc.
Kirby Eades Gale Baker
LandOfFree
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