H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/872 (2006.01) H01L 21/328 (2006.01) H01L 21/329 (2006.01) H01L 27/08 (2006.01)
Patent
CA 2245759
An RF diode, and method for its manufacture, in which a well, doped n-conductive or p-conductive, is formed in a high-ohmic silicon substrate. A silicon epitaxial layer is provided over a first subregion of a surface of the well wherein the layer has the same conductivity type as the doped well. The silicon epitaxial layer is provided with a first Schottky contact layer onto which a first contact metallization is applied. A second subregion located next to the first subregion of the surface of the well is provided with a second Schottky contact layer onto which a second contact metallization is applied.
L'invention est constituée par une diode RF et la méthode de fabrication de cette diode, méthode dans laquelle un puits à dopage de type n ou de type p est formé dans un substrat de silicium à grande résistance ohmique. Une couche épitaxiale de silicium est déposée sur une première sous-région de la surface du puits, cette couche étant du même type que le puits dopé. Cette couche épitaxiale de silicium est dotée d'une première couche de contact de Schottky sur laquelle une première couche de métallisation est déposée. Une seconde sous-région voisine de la première à la surface du puits est dotée d'une seconde couche de contact de Schottky sur laquelle une seconde couche de métallisation est appliquée.
Losehand Reinhard
Werthmann Hubert
Aktiengesellschaft Siemens
Fetherstonhaugh & Co.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1755110