H - Electricity – 03 – F
Patent
H - Electricity
03
F
H03F 1/30 (2006.01)
Patent
CA 2400759
An improved amplifier circuit is disclosed. In one embodiment, the amplifier circuit includes an amplifier transistor that has a base terminal connected to receive an input signal. The amplifier circuit also includes a reference voltage source that generates a reference voltage at a reference voltage output node. A local bias circuit provides a bias voltage to the base terminal of the amplifier transistor. The local bias circuit includes a first transistor that has an emitter terminal coupled to the reference voltage output node, a collector terminal coupled to a supply voltage node, and a base terminal connected to the collector terminal. The local bias circuit also includes a second transistor that has a base terminal coupled to the base terminal of the first transistor, a collector terminal coupled to the supply voltage node, and an emitter terminal coupled to the base terminal of the amplifier transistor. The bias circuit provides a robust, thermally compensated bias voltage to any number of amplifier cells. The bias circuit is ballasted to prevent thermal runaway in any one of the amplifier cells.
La présente invention concerne un circuit d'amplificateur amélioré. Dans un mode de réalisation de l'invention, ce circuit d'amplificateur comprend un transistor d'amplificateur qui possède une borne de base connectée de façon à recevoir un signal d'entrée. Ce circuit d'amplificateur comprend aussi une source de tension de référence qui génère une tension de référence au niveau d'un noeud de sortie de tension de référence. Un circuit de polarisation local fournit une tension de polarisation à la borne de base du transistor d'amplificateur. Ce circuit de polarisation local comprend un premier transistor qui possède une borne d'émetteur couplée au noeud de sortie de tension de référence, une borne de collecteur couplée à un noeud de tension d'alimentation et une borne de base connectée à la borne de collecteur. Le circuit de polarisation local comprend aussi un second transistor qui possède une borne de base couplée à la borne de base du premier transistor, une borne de collecteur couplée au noeud de tension d'alimentation et une borne d'émetteur couplée à la borne de base du transistor d'amplificateur. Le circuit de polarisation fournit une tension de polarisation thermiquement compensée robuste à des cellules d'amplificateur, quel qu'en soit le nombre. Ce circuit de polarisation est ballasté de façon à empêcher un dépassement thermique dans quelque cellule de l'amplificateur.
Apel Thomas R.
Knapp Robert E.
Smart & Biggar
Triquint Semiconductor Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1846310