Rf power package with a dual ground

Details Rf power package with a dual ground Rf power package with a dual ground

H - Electricity

01

L

H01L 23/66 (2006.01)

Patent

CA 2260823

An RF power transistor package (10) is configured for mounting to a heat sink in a multi-layer pc board, and includes a direct top side electrical ground path from a transistor chip (16) located atop a ceramic substrate (18) to a mounting flange (30), without passing through the ceramic substrate, e.g., by way of metal plating an outer surface of the ceramic substrate to electrically connect a top mounted metal lead to the flange. A direct ground path from the transistor chip to the mounting flange is also provided by way of plated via holes (34) through the ceramic substrate. The top side ground path is also configured to connect with the middle ground reference layer of the multi- layer pc board when the mounting flange is secured to the heat sink, so that a unified ground potential is seen by the transistor at both the middle layer and heat sink. In this manner, the power transistor package is grounded at the same reference potential as other elements attached to the pc board, while still having the high performance characteristics provided by the ground path via holes.

Cette invention se rapporte à un boîtier de transistors de puissance radioélectrique (10), qui est conçu pour être monté sur un puits thermique d'une plaquette à circuit imprimé multicouche et qui comprend côté haut un trajet de terre électrique direct allant d'une puce de transistor (16) placée sur un substrat céramique (18) jusqu'à une bride de montage (30), sans passer à travers le substrat céramique, par exemple par l'intermédiaire d'un plaquage métallique d'une surface extérieure du substrat céramique qui connecte électriquement à la bride un fil métallique monté côté haut. Un trajet de terre direct allant de la puce de transistor à la bride de montage est également formé par des trous traversants plaqués (34) ménagés dans le substrat céramique. Le trajet de terre côté haut est également conçu pour être connecté à la couche de référence de terre intermédiaire de la plaquette à circuit imprimé multicouche, lorsque la bride de montage est fixée au puits thermique, pour qu'un potentiel de terre unifié soit créé pour le transistor aussi bien au niveau de la couche intermédiaire qu'au niveau du puits thermique. Ainsi ce boîtier de transistors de puissance est mis à la terre avec le même potentiel de référence que les autres éléments reliés à la plaquette à circuit imprimé, tout en conservant les caractéristiques de hautes performances fournies par les trous traversants du trajet de terre.

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