H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/20 (2010.01) H01L 31/0352 (2006.01)
Patent
CA 2657964
A rod-shaped semiconductor device has a light receiving function or a light emitting function. The semiconductor device is provided with a rod-shaped base material composed of a p-type or n-type semiconductor crystal; a separate conductive layer, which is formed at a portion excluding a strip-shaped portion parallel to the axis center of the base material on the surface layer portion of the base material, and has a conductivity type different from that of the base material; a pn junction formed by the base material and the separate conductive layer; a strip-shaped first electrode, which is formed on the surface of the strip-shaped portion of the base material and is connected to the base material by ohmic connection; and a strip-shaped second electrode, which is formed on the opposite side to the first electrode by having the axis center of the base material in between, and is connected to the separate conductive layer by ohmic connection.
La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur en forme de tige ayant une fonction de réception de lumière ou une fonction d'émission de lumière. Le dispositif semi-conducteur comprend les éléments suivants: un matériau de base en forme de tige composé d'un cristal semi-conducteur type p ou type n; une couche conductrice séparée, qui est formée au niveau d'une partie excluant une partie en forme de bande parallèle au centre axial du matériau de base sur la partie de couche superficielle du matériau de base, et qui a un type de conductivité différent de celui du matériau de base; une jonction pn formée par le matériau de base et la couche conductrice séparée; une première électrode en forme de bande, qui est formée sur la surface de la partie en forme de bande du matériau de base et est connectée au matériau de base par connexion ohmique; et une seconde électrode en forme de bande, qui est formée sur le côté opposé à la première électrode, le centre axial du matériau de base étant entre celles-ci, et qui est connectée à la couche conductrice séparée par connexion ohmique.
Adams Patent & Trademark Agency
Kyosemi Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1859228