Sacrificial metal liner for copper interconnects

Details Sacrificial metal liner for copper interconnects Sacrificial metal liner for copper interconnects

H - Electricity

01

L

H01L 21/768 (2006.01)

Patent

CA 2514454

A semiconductor device which includes an improved liner structure formed in a via (5) having extended sidewall portions and a bottom (8) penetrating a metal liner (7). The liner structure includes two liner layers, the first (6) being on the via sidewalls, but not the bottom, and the second being (9) on the first layer and the extended sidewall portions and bottom of the via. A method of making the liner structure, in which the first layer is deposited prior to an etching or cleaning step, which extends the via into the metal line, is also disclosed.

L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant une structure de doublure améliorée formée dans un trou (5) présentant des parties de paroi prolongée et un fond (8) pénétrant une doublure métallique (7). Cette structure de doublure comprend deux couches de doublure, la première (6) étant située sur les parois du trou, mais pas au fond, et la seconde (9) étant située sur la première couche et sur les parties de paroi prolongée, ainsi qu'au fond du trou. L'invention concerne une méthode de fabrication de cette structure de doublure, dans laquelle la première couche est déposée avant une étape d'attaque ou de nettoyage, cette structure s'étendant du trou jusqu'à la doublure métallique.

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