G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 5/08 (2006.01) G02F 1/35 (2006.01) H01S 3/0941 (2006.01) H01S 3/098 (2006.01)
Patent
CA 2200925
Low optical loss and simplified fabrication are achieved by a nonlinear reflector which incorporates one or more semiconductor quantum wells within an n half-wavelengths strain relief layer (where n is an odd integer greater than zero) that is formed on a standard semiconductor quarter wave stack reflector. Growth of the half- wavelength layer is controlled so that dislocations are formed in sufficient concentration at the interface region to act effectively as non-radiative recombination sources. After saturation, these recombination sources remove carrier, in the quantum well before the next round trip of the optical pulse arrives in the laser cavity. The nonlinear reflector is suitable for laser modelocking at the high wavelengths associated with many currently contemplated telecommunications applications and provides, at such wavelengths, an intensity dependent response that permits it to be used for saturable absorption directly in a main oscillating cavity of a laser. Saturation intensity of the nonlinear reflector and thereby related laser modelocking properties can be controlled by disposing the quantum well(s) at a particular position within the strain relief layer.
Réflecteur non linéaire à faible perte optique et de fabrication simplifiée qui comprend un ou plusieurs puits quantiques à semiconducteurs à l'intérieur d'une couche anti-contraintes à n demi-longueurs d'onde (où n est un nombre entier impair supérieur à zéro) qui est formée sur un réflecteur standard à éléments superposés quart d'onde à semiconducteurs. La croissance de la couche à demi-longueurs d'onde est contrôlée de façon que des dislocations soient formées en concentration suffisante dans la région interfaciale pour agir efficacement comme des sources de recombinaison non rayonnantes. Après la saturation, ces sources de recombinaison éliminent la porteuse dans le puits quantique avant que le cycle suivant de l'impulsion optique arrive dans la cavité laser. Le réflecteur non linéaire convient au verrouillage de mode du laser aux grandes longueurs d'onde associées à de nombreuses applications envisagées en télécommunications et fournit, à ces longueurs d'onde, une réponse en fonction de l'intensité qui permet son utilisation pour fins d'absorption saturable directement dans une cavité oscillante principale du laser. On peut commander l'intensité de saturation du réflecteur non linéaire et ainsi les caractéristiques de verrouillage de mode laser connexes en disposant le ou les puits quantiques à un emplacement particulier dans la couche anti-contraintes.
Cunningham John Edward
Jan William Young
Knox Wayne Harvey
Tsuda Sergio
Kirby Eades Gale Baker
Lucent Technologies Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2008378