C - Chemistry – Metallurgy – 08 – G
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
08
G
C08G 59/40 (2006.01) C08F 283/10 (2006.01) G02F 1/1339 (2006.01)
Patent
CA 2503143
A sealing material for liquid crystals which hardly contaminates liquid crystals, shows excellent workability and combining property when applied to a substrate, has a long working life, a long pot life and a high adhesion strength is disclosed. The sealing material for liquid crystals is characterized by containing (A) a curing resin composed of a mixture of (a) an epoxy group-containing curing resin and (b) a (meth)acyloyl group-containing curing resin, or (c) a curing resin containing an epoxy group and a (meth)acyloyl group; (B) a radical-forming photopolymerization initiator; (C) an isophthalic acid dihydrazide having an average particle diameter of 3 µm or smaller; and (D) a filler having an average particle diameter of 3 µm or smaller.
L'invention concerne un matériau de scellement pour cristaux liquides contaminant à peine les cristaux liquides, faisant preuve d'une excellente manipulation et alliant différentes propriétés lors de son application sur un substrat, ayant une longue durée utile, une longue durée d'emploi et une forte résistance à l'adhésion. Le matériau de scellement pour cristaux liquides est caractérisé en ce qu'il comporte (A) une résine de durcissement constituée d'un mélange (a) d'une résine de durcissement comprenant un groupe époxy et (b) d'une résine de durcissement contenant un groupe (méth)acyloyle ou (c) d'une résine de durcissement contenant un groupe époxy et un groupe (méth)acyloyle ; (B) un amorceur de photopolymérisation formant un radical ; (C) un dihydrazide d'acide isophtalique ayant une granulométrie moyenne de 3 µm au maximum ; et (D) une charge ayant une granulométrie moyenne de 3 µm au maximum.
Asano Toyohumi
Hirano Masahiro
Imaizumi Masahiro
Kudou Masaru
Nishihara Eiichi
Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha
Ridout & Maybee Llp
LandOfFree
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