Selective wet etching of metal nitrides

Details Selective wet etching of metal nitrides Selective wet etching of metal nitrides

H - Electricity

01

L

H01L 21/3213 (2006.01)

Patent

CA 2603990

In one embodiment, the present invention relates to a wet etching composition including hydrogen peroxide; an organic onium hydroxide; and an acid. In another embodiment, the invention relates to a method of wet etching metal nitride selectively to surrounding structures comprising one or more of silicon, silicon oxides, glass, PSG, BPSG, BSG, silicon oxynitride, silicon nitride and silicon oxycarbide and combinations and mixtures thereof and/or photoresist materials, including steps of providing a wet etching composition including hydrogen peroxide, an organic onium hydroxide, and an organic acid; and exposing a metal nitride to be etched with the wet etching composition for a time and at a temperature effective to etch the metal nitride selectively to the surrounding structures.

Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne une composition d'attaque chimique humide comprenant du peroxyde d'hydrogène ; un hydroxyde d'onium organique ; et un acide. Dans un autre mode de réalisation, l'invention concerne un procédé d'attaque chimique humide de nitrure métallique de manière sélective sur des structures environnantes comprenant au moins un élément sélectionné parmi silicium, oxydes de silicium, verre, PSG, BPSG, BSG, oxynitrure de silicium, niture de silicium et oxycarbure de silicium ainsi que des combinaisons et des mélanges de ces derniers et/ou des photorésines. Ledit procédé comprend les étapes d'utilisation d'une composition d'attaque chimique humide comprenant du peroxyde d'hydrogène, un hydroxyde d'onium organique ; et un acide organique ; et d'exposition d'un nitrure métallique à attaquer chimiquement à la composition d'attaque chimique humide pendant une durée et à une température efficaces pour attaquer chimiquement le nitrure métallique de manière sélective sur les structures environnantes.

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