Selective wet etching of oxides

Details Selective wet etching of oxides Selective wet etching of oxides

H - Electricity

01

L

H01L 21/311 (2006.01)

Patent

CA 2608285

The present invention relates to a wet etching composition including a sulfonic acid, a phosphonic acid, a phosphinic acid or a mixture of any two or more thereof, and a fluoride, and to a process of selectively etching oxides relative to nitrides, high-nitrogen content silicon oxynitride, metal, silicon or silicide. The process includes providing a substrate comprising oxide and one or more of nitride, high-nitrogen content silicon oxynitride, metal, silicon or silicide in which the oxide is to be etched; applying to the substrate for a time sufficient to remove a desired quantity of oxide from the substrate the etching composition; and removing the etching composition, in which the oxide is removed selectively.

La présente invention concerne une composition de gravure humide, qui comprend: un acide sulfonique, un acide phosphonique, un acide phosphinique ou un mélange de deux ou plusieurs desdits acides, et un fluorure. Elle concerne également une procédé de gravure sélective d'oxydes relativement à des nitrures, à des oxynitrures de silicium à forte teneur en azote, à un métal, à un silicium ou un siliciure. Le procédé consiste à: utiliser un substrat comprenant un oxyde et un ou plusieurs éléments parmi un nitrure, un oxynitrure de silicium à forte teneur en azote, un métal, un silicium ou siliciure dans lesquels l'oxyde doit être gravé; appliquer la composition de gravure sur le substrat pendant une durée suffisante pour éliminer une quantité désirée d'oxyde du substrat; et retirer la composition de gravure dans laquelle l'oxyde est éliminé sélectivement.

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1628403