Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and...

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H - Electricity

01

L

H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)

Patent

CA 2557702

A self-aligned silicon carbide power MESFET with improved current stability and a method of making the device are described. The device, which includes raised source and drain regions separated by a gate recess, has improved current stability as a result of reduced surface trapping effects even at low gate biases. The device can be made using a self-aligned process in which a substrate comprising an n+-doped SiC layer on an n-doped SiC channel layer is etched to define raised source and drain regions (e.g., raised fingers) using a metal etch mask. The metal etch mask is then annealed to form source and drain ohmic contacts. A single- or multilayer dielectric film is then grown or deposited and anisotropically etched. A Schottky contact layer and a final metal layer are subsequently deposited using evaporation or another anisotropic deposition technique followed by an optional isotropic etch of dielectric layer or layers.

La présente invention concerne un MESFET électrique carbure silicium auto aligné dont la stabilité de courant est améliorée et un procédé de fabrication de ce dispositif. Ce dispositif, qui comprend des régions source et drain surélevées séparées par un évidement grille, possède une stabilité de courant améliorée du fait d'effets de piégeage de surface réduits même à des polarisations de grille faibles. Ce dispositif peut être fabriqué au moyen d'un processus auto aligné dans lequel un substrat comprenant une couche SiC dopée n?+¿- sur une couche canal SiC dopée n est gravé de façon à définir des régions source et drain surélevées (par exemple des doigts surélevés) au moyen d'un masque de gravure métallique. Ce masque de gravure métallique est ensuite recuit de façon à former des contacts ohmiques source et drain. On fait ensuite croître un film diélectrique monocouche ou multicouche ou on le dépose et on le grave de manière anisotropique. On dépose ensuite une couche de contact et une couche métallique finale par une technique d'évaporation ou par une autre technique de dépôt anisotropie suivie par une gravure isotopique optionnelle de la couche ou des couches diélectriques

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