H - Electricity – 01 – J
Patent
H - Electricity
01
J
H01J 1/02 (2006.01) H01J 1/16 (2006.01) H01J 1/62 (2006.01) H01J 17/24 (2006.01) H01J 19/10 (2006.01) H01J 19/70 (2006.01) H01J 29/94 (2006.01) H01J 61/26 (2006.01) H01J 63/04 (2006.01)
Patent
CA 2312845
A self-gettering electron field emitter (30) has a first portion (40) formed of a low-work-function material for emitting electrons, and it has an integral second portion (50) that acts both as a low-resistance electrical conductor and as a gettering surface. The self-geterring emitter (30) is formed by disposing a thin film of the low-work-function material parallel to a substrate and by disposing a thin film of the low-resistance geterring material parallel to the substrate and in contact with the thin film of the low-work-function material. The self-geterring emitter (30) is particularly suitable for use in lateral field emission devices (10). The preferred emitter structure has a tapered edge (60), with a salient portion (45) of the low-work- function material extending a small distance beyond an edge (55) of the gettering and low resistance material. A fabrication process (S1-S6) is specially adapted for in situ formation of the self-gettering electron field emitters while fabricating microelectronic field emission devices.
L'invention concerne un émetteur d'électrons par effet de champ à fixation automatique des gaz (30) possédant une première partie (40) formée d'une matière à faible travail de sortie destinée à l'émission d'électrons, et une deuxième partie intégrée (50) agissant à la fois comme un conducteur électrique à faible résistance et comme une surface de fixation des gaz. On forme l'émetteur à fixation automatique des gaz (30) en disposant une pellicule mince de la matière à faible travail de sortie parallèlement à un substrat et en contact avec la pellicule mince de la matière à faible travail de sortie. L'émetteur à fixation automatique des gaz (30) est particulièrement indiqué dans des dispositifs à émission par effet de champ latéral (10). De préférence, la structure de l'émetteur présente un bord conique (60), une partie saillante (45) de la matière à faible travail de sortie s'étendant sur une faible distance au-delà d'un bord (55) de la matière de fixation des gaz et à faible résistance. Un procédé de fabrication (S1-S6) est spécialement adapté pour la formation in situ d'émetteurs d'électrons par effet de champ à fixation automatique des gaz lors de la fabrication de dispositifs micro-électroniques à émission par effet de champ.
Advanced Vision Technologies Inc.
Smart & Biggar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2013436